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MBRB40H60CT	文件：987.13 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR40H60CT	文件：50.71 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR40H60CT	文件：99.62 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR40H60CT	文件：1.1325 Mbytes Page：3 Pages	Dualrectifierconstruction,positivecentertap	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR40H60CT	文件：85.1 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR40H60CT	文件：1.13926 Mbytes Page：3 Pages	Dualrectifierconstruction,positivecentertap	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR40H60CT	文件：1.51197 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std (Halogen Free) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR40H60PT	文件：565.89 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures HighefficienctyoperationandLowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBR40H60PT	文件：90.49 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip260°C,40s •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR40H60PT	文件：515.23 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR40H60PT	文件：105.07 Kbytes Page：4 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR40H60PT	文件：34.33 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STGW40H60DLFB	文件：1.49074 Mbytes Page：17 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,40Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartofthenewHBseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.Furth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWA40H60DLFB	文件：871.63 Kbytes Page：15 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,40AhighspeedinaTO-247longleadspackage Features Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Highspeedswitchingseries Minimizedtailcurrent Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=40A Tightparameterdistribution Safeparalleling Lowthermalresistance LowVFsoftrecoveryco-packageddiode A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWT40H60DLFB	文件：1.49074 Mbytes Page：17 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,40Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartofthenewHBseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.Furth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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