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STGW35NC60WD	文件：554.2 Kbytes Page：14 Pages	40 A, 600 V ultra fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Highfrequencyoperation ■LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecovery	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGW35NC60WD

文件：554.2 Kbytes

Page：14 Pages

40 A, 600 V ultra fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Highfrequencyoperation ■LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecovery

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STGW35NC60WD

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包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 70A 260W TO247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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产品属性

产品编号：
STGW35NC60WD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，20A
开关能量：
305µJ（开），181µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
29.5ns/118ns
测试条件：
390V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 70A 260W TO247

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