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STGW39NC60VD	文件：340.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；N-CHANNEL 40A - 600V - TO-247 Very Fast PowerMESH??IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. Features ■ Low CRES/ CIES ratio (no cross conduction susceptibility) ■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode 文件：340.86 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：285.3 Kbytes Page：13 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT 文件：285.3 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：323.36 Kbytes Page：14 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH??IGBT 文件：323.36 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：391.02 Kbytes Page：15 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；40 A - 600 V - very fast IGBT 文件：391.02 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD_06	文件：285.3 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT 文件：285.3 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD_07	文件：323.36 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH??IGBT 文件：323.36 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD_08	文件：391.02 Kbytes Page：15 Pages	40 A - 600 V - very fast IGBT 文件：391.02 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 A、600 V超快IGBT This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Low CRES / CIES ratio (no cross conduction susceptibility) \n• IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode;	ST 意法半导体	ST
STGW39NC60VD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 250W TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW39NC60VD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，30A
开关能量：
333µJ（开），537µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
33ns/178ns
测试条件：
390V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 80A 250W TO247

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