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STGW39NC60VD	文件：340.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；N-CHANNEL 40A - 600V - TO-247 Very Fast PowerMESH??IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. Features ■ Low CRES/ CIES ratio (no cross conduction susceptibility) ■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode 文件：340.86 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：285.3 Kbytes Page：13 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT 文件：285.3 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：323.36 Kbytes Page：14 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH??IGBT 文件：323.36 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW39NC60VD	文件：391.02 Kbytes Page：15 Pages	丝印：GW39NC60VD；Package：TO-247；40 A - 600 V - very fast IGBT 文件：391.02 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GW39NC60VD	文件：340.86 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 40A - 600V - TO-247 Very Fast PowerMESH??IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. Features ■ Low CRES/ CIES ratio (no cross conduction susceptibility) ■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode 文件：340.86 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GW39NC60VD	文件：285.3 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT 文件：285.3 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GW39NC60VD
功能描述：
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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