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STGW39NC60VD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGW39NC60VD
厂商型号

STGW39NC60VD

参数属性

STGW39NC60VD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 250W TO247

功能描述

N-CHANNEL 40A - 600V - TO-247 Very Fast PowerMESH??IGBT
IGBT 600V 80A 250W TO247

文件大小

340.86 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 18:24:00

STGW39NC60VD规格书详情

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour.

Features

■ Low CRES/ CIES ratio (no cross conduction susceptibility)

■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode

STGW39NC60VD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGW39NC60VD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGW39NC60VD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    333µJ(开),537µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    33ns/178ns

  • 测试条件:

    390V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 250W TO247

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