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STGW39NC60VD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGW39NC60VD |
参数属性 | STGW39NC60VD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 250W TO247 |
功能描述 | N-CHANNEL 40A - 600V - TO-247 Very Fast PowerMESH??IGBT |
文件大小 |
340.86 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 18:24:00 |
STGW39NC60VD规格书详情
Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour.
Features
■ Low CRES/ CIES ratio (no cross conduction susceptibility)
■ IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling diode
STGW39NC60VD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGW39NC60VD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGW39NC60VD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,30A
- 开关能量:
333µJ(开),537µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
33ns/178ns
- 测试条件:
390V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 250W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO247 |
8820 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ST |
ROHS全新原装 |
TO247 |
25980 |
ST进口原装现货长期备货正纳电子QQ350053121 |
询价 | ||
ST专家 |
TO-247-3 |
23500 |
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询价 | |||
ST专家 |
21+ |
TO-247-3 |
12880 |
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ST |
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TO-247 |
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ST |
23+ |
TO-247 |
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原厂原装正品现货 |
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ST(意法半导体) |
23+ |
TO-247 |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3550 |
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ST |
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12245 |
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ST |
19+ |
TO-247 |
8 |
原装现货 清仓价出 |
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