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STGW50HF60SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	High current capability	ST 意法半导体	ST
STGW50HF60SD	文件：765.71 Kbytes Page：13 Pages	丝印：GW50HF60SD；Package：TO-247；60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode 文件：765.71 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW50HF60SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 110A 284W TO247	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STGWA15H120F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO247	ST 上传：深圳市励创源科技有限公司	ST

产品属性

产品编号：
STGW50HF60SD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.45V @ 15V，30A
开关能量：
250µJ（开），4.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/220ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 110A 284W TO247

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