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STGW50HF60SD中文资料High current capability数据手册ST规格书

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厂商型号

STGW50HF60SD

参数属性

STGW50HF60SD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 110A 284W TO247

功能描述

High current capability
IGBT 600V 110A 284W TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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STGW50HF60SD规格书详情

简介

STGW50HF60SD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGW50HF60SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STGW50HF60SD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.45V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    250µJ(开),4.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/220ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 110A 284W TO247

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