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STGW35NC120HD

35 A - 1200 V - very fast IGBT

文件:355.99 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW35NC120HD

35 A - 1200 V - very fast IGBT

ST

意法半导体

STGW35NC120HD

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 60A 235W TO247

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意法半导体

GW35NC120HD

35 A - 1200 V - very fast IGBT

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意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGW35NC120HD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    1.66mJ(开),4.44mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    29ns/275ns

  • 测试条件:

    960V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 235W TO247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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更多STGW35NC120HD供应商 更新时间2026-2-9 16:12:00