IHW30N90R分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IHW30N90R |
| 参数属性 | IHW30N90R 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 900V 60A 454W TO247-3 |
| 功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | PG-TO-247-3 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
304 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-26 18:28:00 |
| 人工找货 | IHW30N90R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IHW30N90R规格书详情
IHW30N90R属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由英飞凌科技股份公司制造生产的IHW30N90R晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Features:
• 1.5V typical saturation voltage of IGBT
• Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
- easy parallel switching capability due to positive
temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1
for target applications
• Application specific optimisation of inverse diode
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
产品属性
更多- 产品编号：
IHW30N90R
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.46mJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/511ns
- 测试条件：
600V，30A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 900V 60A 454W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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