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IHW30N90R	文件：304 Kbytes Page：12 Pages	Marking：H30R90；Package：PG-TO-247-3；Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: •1.5VtypicalsaturationvoltageofIGBT •TrenchandFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchingcapabilityduetopositive temperaturecoefficientinVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N90R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N90R	文件：356.25 Kbytes Page：12 Pages	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N90R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 60A 454W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N90R_08	文件：304 Kbytes Page：12 Pages	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: •1.5VtypicalsaturationvoltageofIGBT •TrenchandFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchingcapabilityduetopositive temperaturecoefficientinVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N90T	文件：329.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode Features: •1.1VForwardvoltageofantiparalleldiode •TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor900Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestab	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N90T	文件：293.73 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
STGW30N90D	文件：159.35 Kbytes Page：10 Pages	N-channel900V-30A-TO-247VeryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
IHW30N90R
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
开关能量：
1.46mJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/511ns
测试条件：
600V，30A，15 欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
描述：
IGBT 900V 60A 454W TO247-3

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