IHW30N90R中文资料Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IHW30N90R |
| 参数属性 | IHW30N90R 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 900V 60A 454W TO247-3 |
| 功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 10:19:00 |
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IHW30N90R规格书详情
简介
IHW30N90R属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N90R晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IHW30N90R
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.46mJ
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/511ns
- 测试条件：
600V，30A，15 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 900V 60A 454W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
12+ |
TO247 |
209 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON |
16+/17+ |
TO-220F |
3500 |
原装正品现货供应56 |
询价 | ||
INFINEON |
23+24 |
TO-247 |
49820 |
主营全系列二三极管、MOS场效应管、 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
30A,900V |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
INFPHIL |
24+ |
TO-247 |
10000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 |
