IHW25N120E1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

全新的RC-E IGBT的成本和功能经过专门优化，可满足中低档电磁炉和其他谐振应用的需求。RC-E技术采用具有单片集成反向导通二极管的IGBT，在性价比和易用性方面树立了行业新基准。这一全新系列秉承了英飞凌久经考验的RC IGBT质量优势，可满足开关应用的所有需求，凭借其更具吸引力的价格，可与其他通用IGBT相媲美。

特性 Features

• 低 E off 和V ce（sat）
• 专为开关应用而设计
• 性能经过优化，开关频率为18kHz-40kHz
• 最常用的阻断电压，1200V

优势:
• 性价比出众，打造有成本效益的设计
• 低损耗有助于设计达到能效标准
• 直接替换现有设计
• 软开关，可实现良好的EMI行为

应用 Application

• 中低档电磁炉

简介

IHW25N120E1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW25N120E1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。