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IHW15N120R2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IHW15N120R2 |
参数属性 | IHW15N120R2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 357W TO247-3 |
功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-10 20:00:00 |
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IHW15N120R2规格书详情
简介
IHW15N120R2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW15N120R2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IHW15N120R2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.75V @ 15V,15A
- 开关能量:
900µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/282ns
- 测试条件:
600V,15A,14.8 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3-1
- 描述:
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
9590 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
PG-TO247-3 |
8866 |
询价 | |||
INFINEON |
6200 |
TO-3P |
17 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-TO247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-247 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
17134 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |