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IHW15N120R2中文资料Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IHW15N120R2 |
| 参数属性 | IHW15N120R2 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 30A 357W TO247-3 |
| 功能描述 | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 12:45:00 |
| 人工找货 | IHW15N120R2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IHW15N120R2规格书详情
简介
IHW15N120R2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW15N120R2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IHW15N120R2
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.75V @ 15V，15A
- 开关能量：
900µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/282ns
- 测试条件：
600V，15A，14.8 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
PG-TO247-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
08+ |
TO-3P |
10000 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
20A,1200V |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-3P |
12052 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INFINEON |
100 |
原装现货,价格优惠 |
询价 | ||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-247 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
17134 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
