IHW20N120R3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

第三代逆导型 1200 V、20 A TRENCHSTOPTM RC-IGBT3，采用单片集成逆导型二极管在 TO-247 中封装，更优地实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗以及软开关行为，实现了更好的热性能和电磁干扰行为，从而降低系统成本。在降低成本的同时可以实现优异的性能。

特性 Features

• 一流的 VCEsat 和 Vf 传导属性
• 开关损耗低，效率高
• 优异的热性能
• Tj(max) = 175°C
• 低电磁干扰的软电流关断波形

优势:
• 功耗较低
• 更好的热量管理
• 浪涌电流能力可降低电磁干扰滤波要求
• 降低系统成本
• 电流峰值时可靠性较高

简介

IHW20N120R3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW20N120R3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。