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IHW30N160R2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IHW30N160R2

参数属性

IHW30N160R2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:00:00

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IHW30N160R2规格书详情

描述 Description

第 2 代逆导型 1600 V、30 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3 和场终止技术,采用单片集成逆导型二极管在 TO247 中封装,进行优化实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗和软开关行为,可实现更好的热性能和电磁干扰行为,从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。

特性 Features

• 一流的 VCEsat 和 Vf,实现卓越的效率
• 低开关损耗
• 稳定的温度行为
• 软电流关断波形
• 高击穿电压
• 能够承受 SOA 上的电流尖峰

优势:
• 功耗低
• 更好的热量管理
• 降低散热,冷却和 EMI 滤波成本
• 较高的设备安全性和可靠性
• 降低系统成本
• 同类较高性能,价格具有竞争力

简介

IHW30N160R2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N160R2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IHW30N160R2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT RC Soft Switching

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 60.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :1600.0V

  • IC(@100°) max

    :30.0A

  • IC(@25°) max

    :60.0A

  • ICpuls max

    :90.0A

  • Ptot max

    :312.0W

  • VCE(sat) 

    :2.35V 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :4.37mJ 

  • td(off) 

    :564.0ns 

  • tf 

    :111.0ns 

  • QGate 

    :94.0nC 

  • IF max

    :30.0A

  • IFpuls max

    :90.0A

  • VF 

    :2.0V 

  • VCE max

    :1600.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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