IHW30N160R2中文资料分立式IGBT数据手册Infineon规格书

描述 Description

第 2 代逆导型 1600 V、30 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3 和场终止技术，采用单片集成逆导型二极管在 TO247 中封装，进行优化实现了更低的开关和传导损耗。降低的功耗和软开关行为，可实现更好的热性能和电磁干扰行为，从而降低系统成本。降低成本同时实现优异性能。

特性 Features

• 一流的 VCEsat 和 Vf，实现卓越的效率
• 低开关损耗
• 稳定的温度行为
• 软电流关断波形
• 高击穿电压
• 能够承受 SOA 上的电流尖峰

优势:
• 功耗低
• 更好的热量管理
• 降低散热，冷却和 EMI 滤波成本
• 较高的设备安全性和可靠性
• 降低系统成本
• 同类较高性能，价格具有竞争力

简介

IHW30N160R2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N160R2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。