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IHW30N110R5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IHW30N110R5

参数属性

IHW30N110R5 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH

功能描述

1100 V、30 A IGBT,采用 TO-247 封装,集成单片二极管
IGBT TRENCH

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:09:00

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IHW30N110R5规格书详情

特性 Features


优势:
• Lowest power dissipation
• Better thermal management for higher reliability
• Optimized for switching frequency up to 60 kHz
• Highest reliability against capacitive peak currents
• Lower EMI filtering requirements

简介

IHW30N110R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N110R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IHW30N110R5XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.85V @ 15V,30A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/350ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    PG-TO247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH

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