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IHW30N110R5数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IHW30N110R5 |
参数属性 | IHW30N110R5 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH |
功能描述 | 1100 V、30 A IGBT,采用 TO-247 封装,集成单片二极管 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 17:09:00 |
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IHW30N110R5规格书详情
特性 Features
优势:
• Lowest power dissipation
• Better thermal management for higher reliability
• Optimized for switching frequency up to 60 kHz
• Highest reliability against capacitive peak currents
• Lower EMI filtering requirements
简介
IHW30N110R5属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N110R5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IHW30N110R5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.85V @ 15V,30A
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/350ns
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3
- 描述:
IGBT TRENCH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
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