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IHW30N120R2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IHW30N120R2

参数属性

IHW30N120R2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 60A 390W TO247-3

功能描述

分立式IGBT
IGBT 1200V 60A 390W TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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IHW30N120R2规格书详情

特性 Features

·Best-in-class V ce(sat) and V f for outstanding efficiency
·Lowest switching losses
·Stable temperature behavior
·Soft current turn-off waveforms
·High breakthrough voltage
·Resistance to current spikes over the SOA

应用 Application

  · Induction cooking stoves
· Microwave ovens
· Rice cookers
·Multifunctional printers

简介

IHW30N120R2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IHW30N120R2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IHW30N120R2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 60.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :30.0A

  • IC(@25°) max

    :60.0A

  • ICpuls max

    :90.0A

  • Ptot max

    :390.0W

  • VCE(sat) 

    :2.0V 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :3.1mJ 

  • td(off) 

    :860.0ns 

  • tf 

    :40.0ns 

  • QGate 

    :198.0nC 

  • IF max

    :30.0A

  • IFpuls max

    :90.0A

  • VF 

    :1.75V 

  • VCE max

    :1200.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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