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IHW30N160R2	文件：396.65 Kbytes Page：12 Pages	TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode TrenchStop®ReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -hi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IHW30N160R2FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1600V 60A 312W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IHW30N160R2

文件：396.65 Kbytes

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TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

TrenchStop®ReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -hi

InfineonInfineon Technologies AG

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IHW30N160R2FKSA1

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1600V 60A 312W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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IHY30N160R2

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TrenchStopReverseConducting(RC-)IGBTwithmonolithicbodydiode

InfineonInfineon Technologies AG

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详细参数

型号：
IHW30N160R2
功能描述：
IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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