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STGIPS10K60T-H	文件：688.74 Kbytes Page：19 Pages	Short-circuit rugged IGBTs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm）类别：分立半导体产品功率驱动器模块描述：MOD IGBT SLLIMM 10A 600V 25SDIP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GHFC10K60	文件：537.87 Kbytes Page：2 Pages	SOLID-STATEFREQUENCYCONVERTERS	Nova NOVA electronics，Inc.	Nova
PMD10K60	文件：215.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=60V(Min) •ComplementtotypePMD11K60 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PMD10K60	文件：151.09 Kbytes Page：1 Pages	SILICONPOWERDARLINGTRANSISTORSl SILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PMD10K60	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PMD10K60	文件：73.88 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCcurrentgain •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(SUS)=60V(Min) •ComplementtotypePMD11K60 APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
PMD10K60	文件：151.09 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerDarlingtonTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
S10K60	文件：140.4 Kbytes Page：16 Pages	LeadedVaristors SIOVmetaloxidevaristors Leadedvaristors,StandarDseries Features ■Wideoperatingvoltagerange11…1100VRMS ■Highsurgecurrentratingsupto8kA ■Noderatingupto85°Cambienttemperature ■PSpicemodels	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
SF10K60M	文件：144.82 Kbytes Page：4 Pages	FastRecoveryDiode	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司	SHINDENGEN
STGIPS10K60A	文件：458.31 Kbytes Page：17 Pages	IGBTintelligentpowermodule(IPM)10A,600V,DBCisolatedSDIP-25Lmolded	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T	文件：934.65 Kbytes Page：20 Pages	SLLIMM(smalllow-lossintelligentmoldedmodule)IPM,3-phaseinverter-10A,600Vshort-circuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
TS10K60	文件：210.79 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10K60	文件：208.6 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
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V10K60C	文件：135.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10K60DU	文件：136.46 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V10K60DU	文件：137.1 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
STGIPS10K60T-H
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 功率驱动器模块
系列：
SLLIMM™
包装：
散装
类型：
IGBT
配置：
3 相
电压 - 隔离：
2500Vrms
安装类型：
通孔
封装/外壳：
25-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm）
描述：
MOD IGBT SLLIMM 10A 600V 25SDIP

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