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STGP15H60DF	文件：1.86596 Mbytes Page：23 Pages	Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP15H60DF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A 115W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
FSF15H60	文件：615.36 Kbytes Page：5 Pages	FastRecoveryDiode	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
IKCM15H60GA	文件：1.01641 Mbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKCM15H60HA	文件：953.44 Kbytes Page：16 Pages	ControlIntegratedPOwerSystem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MBR15H60CT	文件：1.25296 Mbytes Page：3 Pages	MechanicalData	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR15H60CT	文件：1.24629 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR15H60CT	文件：148.41 Kbytes Page：6 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR15H60CT	文件：1.24605 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR15H60CT	文件：96.87 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR15H60CT	文件：161.54 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRB15H60CT	文件：161.54 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRB15H60CT	文件：96.87 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRF15H60CT	文件：96.87 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRF15H60CT	文件：161.54 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
STGB15H60DF	文件：1.86596 Mbytes Page：23 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,15Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGF15H60DF	文件：1.86596 Mbytes Page：23 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,15Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWT15H60F	文件：845.29 Kbytes Page：15 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,15Ahighspeed Features Highspeedswitching Tightparameterdistribution Safeparalleling Lowthermalresistance Short-circuitrated Applications Motorcontrol UPS PFC Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.Th	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP15H60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，15A
开关能量：
136µJ（开），207µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24.5ns/118ns
测试条件：
400V，15A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 30A 115W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STGP15H60DF	STMicroelectronics	23+	TO-220-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	STGP15H60DF	STM	2022+	TO220	11464	原厂授权代理价格绝对优势	询价
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