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STGP30NC60K

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

ST

意法半导体

STGP30NC60K

30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

文件:385.84 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP30NC60K

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 60A 185W TO220AB

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP30NC60S

30 A, 600 V, fast IGBT

Features ■ Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ High current capability Application Motor drive Description This device utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off betw

文件:497.21 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP30NC60W

N-channel 30A - 600V - TO-247 - TO-220 Ultra fast switching PowerMESH TM IGBT

文件:306.18 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP30NC60W

30 A - 600 V - ultra fast IGBT

文件:461.61 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGP30NC60K

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    350µJ(开),435µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    29ns/120ns

  • 测试条件:

    480V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 185W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
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ST(意法半导体)
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