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STGP8NC60K	文件：448.34 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP8NC60K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 15A 65W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP8NC60KD	文件：389.62 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Loweronvoltagedrop(VCE(sat)) ·Verysoftultrafastrecoveryantiparalleldiode APPLICATIONS ·Highfrequencymotorcontrols ·SMPSandPFCinbothhardswitchandresonanttopologies ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGP8NC60KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	最新短路保护“K”系列; • Lower on voltage drop (VCE(sat)) \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode \n• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) \n• Short circuit withstand time 10µs; This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STGP8NC60KD	文件：562.01 Kbytes Page：18 Pages	600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP8NC60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 15A 65W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP8NC60K
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，3A
开关能量：
55µJ（开），85µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/72ns
测试条件：
390V，3A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 15A 65W TO220

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