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STGP8NC60KD	文件：562.01 Kbytes Page：18 Pages	600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP8NC60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 15A 65W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGP8NC60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，3A
开关能量：
55µJ（开），85µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/72ns
测试条件：
390V，3A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 15A 65W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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