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STGP8NC60KD

IGBT

DESCRIPTION · Lower on voltage drop (VCE(sat)) · Very soft ultra fast recovery antiparallel diode APPLICATIONS · High frequency motor controls · SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies · Motor drives

文件:389.62 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STGP8NC60KD

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

文件:562.01 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP8NC60KD

最新短路保护“K”系列

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Lower on voltage drop (VCE(sat)) \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode \n• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) \n• Short circuit withstand time 10µs;

ST

意法半导体

STGP8NC60KD

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 15A 65W TO220

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGP8NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    55µJ(开),85µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/72ns

  • 测试条件:

    390V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 15A 65W TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STGP8NC60KD供应商 更新时间2025-10-5 8:11:00