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STGP30V60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a pos • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n• Tail-less switching off\n• VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A• Tight parameters distribution\n• Safe paralleling\n• Low thermal resistance;	ST 意法半导体	ST
STGP30V60F	文件：1.45343 Mbytes Page：19 Pages	Low thermal resistance 文件：1.45343 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP30V60F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 260W TO220AB	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30V60DF	文件：1.91768 Mbytes Page：22 Pages	Low thermal resistance 文件：1.91768 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW30V60F	文件：1.47767 Mbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed 文件：1.47767 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGWT30V60DF	文件：1.91768 Mbytes Page：22 Pages	Low thermal resistance 文件：1.91768 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP30V60F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，30A
开关能量：
383µJ（开），233µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/189ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 60A 260W TO220AB

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