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SF10K60M	文件：144.82 Kbytes Page：4 Pages	Fast Recovery Diode	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
STGIPS10K60A	文件：458.31 Kbytes Page：17 Pages	IGBTintelligentpowermodule(IPM)10A,600V,DBCisolatedSDIP-25Lmolded	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T	文件：934.65 Kbytes Page：20 Pages	SLLIMM(smalllow-lossintelligentmoldedmodule)IPM,3-phaseinverter-10A,600Vshort-circuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGIPS10K60T-H	文件：688.74 Kbytes Page：19 Pages	Short-circuitruggedIGBTs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TS10K60	文件：208.6 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10K60	文件：210.79 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TS10K60-A	文件：456.09 Kbytes Page：5 Pages	10A,400V-800VGlassPassivatedBridgeRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
V10K60C	文件：135.25 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10K60DU	文件：137.1 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10K60DU	文件：136.46 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SF10K60M
制造商：
Shindengen
功能描述：
Hi Voltage Low Noise

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