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STGP19NC60SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 A、600 V高速IGBT，带超高速二极管; • Very low on-voltage drop (VCE(sat)) \n• Minimum power losses at 5 kHz in hard switching \n• Optimized performance for medium operating frequencies. \n• IGBT co-packaged with Ultrafast freewheeling diode; This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STGP19NC60SD	文件：535.58 Kbytes Page：15 Pages	丝印：GP19NC60SD；Package：TO-220；20 A, 600 V fast IGBT with Ultrafast diode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP19NC60SD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 130W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP19NC60W	文件：300.13 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V-19A-TO-220UltrafastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP19NC60WD	文件：312.92 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V-19A-TO-220-TO-247UltrafastPowerMESH??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW19NC60H	文件：318.68 Kbytes Page：14 Pages	19A-600V-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP19NC60SD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，12A
开关能量：
135µJ（开），815µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17.5ns/175ns
测试条件：
480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 40A 130W TO220

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