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STGP20V60F	文件：1.55903 Mbytes Page：18 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP20V60F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 167W TO220AB	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	600V,20Averyhighspeedtrenchgatefield-stopIGBT	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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TK20V60W	文件：243.58 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.136Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
STGP20V60F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
开关能量：
200µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
38ns/149ns
测试条件：
400V，20A，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 40A 167W TO220AB

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