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STGP35N35LZ

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

文件:720.09 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP35N35LZ

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

ST

意法半导体

STGP35N35LZ

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 345V 40A 176W TO220

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB35N35LZ

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

Description This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automot

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGP35N35LZ

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,15A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    1.1µs/26.5µs

  • 测试条件:

    300V,15A,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 345V 40A 176W TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
25+
N/A
21000
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ST全系列
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ST
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TO2203
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STMicroelectronics
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TO-220
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ST/意法
22+
TO-220
100766
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更多STGP35N35LZ供应商 更新时间2026-2-5 16:12:00