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STGP10NB37LZ	文件：267.92 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh??IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitt 文件：267.92 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NB37LZ	文件：751.46 Kbytes Page：15 Pages	丝印：GP10NB37LZ；Package：TO-220；10 A - 410 V internally clamped IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. The built in collector-gate Zener exhibits a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection. Feat 文件：751.46 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NB37LZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh™ IGBT	ST 意法半导体	ST
STGP10NB37LZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 440V 20A 125W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP10NB37LZ
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
开关能量：
2.4mJ（开），5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
1.3µs/8µs
测试条件：
328V，10A，1 千欧，5V
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 440V 20A 125W TO220

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