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STGP18N40LZ	文件：896 Kbytes Page：19 Pages	EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT 文件：896 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP18N40LZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 420V 30A 150W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
18N40	文件：145.54 Kbytes Page：3 Pages	400V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：145.54 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
18N40	文件：151.29 Kbytes Page：4 Pages	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：151.29 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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产品属性

产品编号：
STGP18N40LZ
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，10A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
650ns/13.5µs
测试条件：
300V，10A，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 420V 30A 150W TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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