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STGP10NB37LZ分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGP10NB37LZ |
| 参数属性 | STGP10NB37LZ 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 440V 20A 125W TO220 |
| 功能描述 | 10 A - 410 V internally clamped IGBT |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
751.46 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 | STMICROELECTRONICS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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STGP10NB37LZ规格书详情
STGP10NB37LZ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP10NB37LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™
process resulting in an excellent trade-off
between switching performance and low on-state
behavior. The built in collector-gate Zener exhibits
a very precise active clamping while the gateemitter Zener supplies an ESD protection.
特性 Features
■ Low threshold voltage
■ Low on-voltage drop
■ Low gate charge
■ High current capability
■ High voltage clamping feature
Applications
■ Automotive ignition
产品属性
更多- 产品编号：
STGP10NB37LZ
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
- 开关能量：
2.4mJ（开），5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
1.3µs/8µs
- 测试条件：
328V，10A，1 千欧，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT 440V 20A 125W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
68 |
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询价 | ||
ST |
2511 |
TO-220 |
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ST |
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TO220 |
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ST |
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ST |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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STMicroelectronics |
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TO-220-3 |
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ST |
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TO220 |
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ST |
19+ |
TO220 |
20000 |
445 |
询价 |
