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STGP10NC60H	文件：104.11 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 VERY FAST PowerMESH??IGBT General features ■ LOWER ON-VOLTAGE DROP (Vcesat) ■ LOWER CRES / CIES RATIO (NO CROSS-CONDUCTION SUSCEPTIBILITY) ■ VERY SOFT ULTRA FAST RECOVERY ANTIPARALLEL DIODE Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an a 文件：104.11 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：272.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：272.72 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：315.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH IGBT 文件：315.32 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	丝印：GP10NC60HD；Package：TO-220；600 V - 10 A - very fast IGBT Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ Low on-voltage drop (VCE(sat)) ■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recov 文件：771.12 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H_06	文件：272.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：272.72 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H_07	文件：315.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 10A - 600V - TO-220 Very fast PowerMESH IGBT 文件：315.32 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：453.39 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT 文件：453.39 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT 文件：410.77 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600 V - 10 A - very fast IGBT 文件：774.03 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 VERY FAST PowerMESH™ IGBT	ST 意法半导体	ST

产品属性

产品编号：
STGP10NC60H
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，5A
开关能量：
31.8µJ（开），95µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
14.2ns/72ns
测试条件：
390V，5A，10欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 20A 60W TO220

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