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STGP10NC60HD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGP10NC60HD
厂商型号

STGP10NC60HD

参数属性

STGP10NC60HD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 65W TO220

功能描述

600 V - 10 A - very fast IGBT
IGBT 600V 20A 65W TO220

丝印标识

GP10NC60HD

封装外壳

TO-220 / TO-220-3

文件大小

771.12 Kbytes

页面数量

19

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:25:00

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STGP10NC60HD规格书详情

STGP10NC60HD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGP10NC60HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

特性 Features

■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction

susceptibility)

■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

Applications

■ High frequency motor controls

■ SMPS and PFC in both hard switch and

resonant topologies

■ Motor drivers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGP10NC60HD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    31.8µJ(开),95µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    14.2ns/72ns

  • 测试条件:

    390V,5A,10欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 65W TO220

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