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STGP10NB60SD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGP10NB60SD
厂商型号

STGP10NB60SD

参数属性

STGP10NB60SD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 29A 80W TO220

功能描述

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 29A 80W TO220

文件大小

242.95 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 11:45:00

STGP10NB60SD规格书详情

Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency application (

General features

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

Applications

■ LIGHT DIMMER

■ STATIC RELAYS

■ MOTOR CONTROL

STGP10NB60SD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGP10NB60SD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    STGP10NB60SD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    600µJ(开),5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    700ns/1.2µs

  • 测试条件:

    480V,10A,1 千欧,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 29A 80W TO220

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