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STGP14NC60KD	文件：456.95 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP14NC60KD	文件：833.54 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP14NC60KD	文件：455.93 Kbytes Page：16 Pages	14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP14NC60KD	文件：543.38 Kbytes Page：16 Pages	14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP14NC60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 25A 80W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
STGP14NC60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，7A
开关能量：
82µJ（开），155µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22.5ns/116ns
测试条件：
390V，7A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 25A 80W TO220

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