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IRF610S	文件：178.74 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRF610S	文件：182.71 Kbytes Page：8 Pages	Surface mount DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF610S	文件：248.98 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF610S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET; Surface mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF610S	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF610S_V01	文件：248.98 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF610SPBF	文件：1.87143 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF610SPBF	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF610STRLPBFA	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF610STRRPBFA	文件：237.79 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF610S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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