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CED06N7	文件：623.49 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V,5A,RDS(ON)=2W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED07N65A	文件：628.93 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,6A,RDS(ON)=1.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED07N65LN	文件：507.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,5.9A,RDS(ON)=0.65W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED07N65SA	文件：536.62 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,6.2A,RDS(ON)=0.65W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED08N6A	文件：623.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V,6.2A,RDS(ON)=1.25W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1010AL	文件：440.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,63A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1010L	文件：939.61 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,63A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED1012L	文件：695.69 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED10P10	文件：389.96 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-100V,-8A,RDS(ON)=350mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.2
Qg(nC)@10V(typ)：
5.8
RθJC(℃/W)：
3.5
Pd(W)：
35.7
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	CED01N65	CET/華瑞	24+	TO-251	17250	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	CED01N65	CET	07+PBF	TO-251	17250	现货	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	CED01N65	CET/華瑞	07+	TO-251	10000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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