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CED83A3	文件：141.76 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,80A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED83A3	文件：895.6 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,80A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED83A3G	文件：421.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,93A,RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP83A3	文件：651.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,100A,RDS(ON)=5.3mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=8.0mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP83A3	文件：100.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,100A,RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8.0mΩ@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP83A3G	文件：735.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,102A,RDS(ON)=4.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=6.2mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP83A3G	文件：401.69 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,102A,RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.0mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU83A3	文件：895.6 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,80A,RDS(ON)=6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU83A3	文件：1.01372 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU83A3	文件：141.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,80A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CED83A3
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CED83A3	SR	23+	TO-251	7000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CED83A3	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CED83A3	CET/華瑞	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED83A3	CET/華瑞	2022+	TO-251	1090	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CED83A3	C	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CED83A3	CET/華瑞	24+	NA/	4340	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CED83A3	CET	23+	TO-251	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CED83A3	CET	23+	TO-251	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	CED83A3	CET	25+	TO-251	1090	原装正品,假一罚十!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CED83A3	恩XP	24+	BGA28	6512	公司现货库存,支持实单	询价

更多CED83A3供应商更新时间2025-7-13 15:35:00

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