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CED630N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CED630N

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CED630N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CED630N

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

CEDM7001

CENTERL
SOT883

CENTERL

技术参数

  • BVDSS(V):

    200

  • Rds(on)mΩ@10V:

    360

  • ID(A):

    7.5

  • Qg(nC)@10V(typ):

    19

  • RθJC(℃/W):

    2.3

  • Pd(W):

    54

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
25+
TO-251
156537
明嘉莱只做原装正品现货
询价
VBsemi
23+
TO251
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
CET/華瑞
2022+
TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
C
23+
TO-251
6000
原装正品,支持实单
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VBsemi
21+
TO251
10010
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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CET/華瑞
2022+
TO-251
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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VBsemi
24+
TO251
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
CET
21+
TO-251
100
原装现货假一赔十
询价
SR
23+
TO-251
5000
原装正品,假一罚十
询价
CET/華瑞
23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货
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更多CED630N供应商 更新时间2025-7-31 10:31:00