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CED08N6A	文件：623.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V,6.2A,RDS(ON)=1.25W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED08N6A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF08N6A	文件：607.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP08N6A	文件：380.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP08N6A600V1.25Ω7.5A10V CEB08N6A600V1.25Ω7.5A10V CEF08N6A600V1.25Ω7.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Le	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP08N6A	文件：607.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU08N6A	文件：623.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,6.2A,RDS(ON)=1.25W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU08N6A	文件：404.36 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■600V,6.2A,RDS(ON)=1.25Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

技术参数

BVDSS(V)：
600
Rds(on)mΩ@10V：
1250
ID(A)：
6.2
Qg(nC)@10V(typ)：
21
RθJC(℃/W)：
1.4
Pd(W)：
107
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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