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CED540N	文件：399.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,25A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED540N	文件：489.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,25A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED540N	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF540L	文件：687.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF540L	文件：633.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=53mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEF540N	文件：412.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF540N	文件：585.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=53mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP540A	文件：101.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,36A,RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP540L	文件：687.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP540L	文件：633.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,36A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=53mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
53
ID(A)：
25
Qg(nC)@10V(typ)：
28
RθJC(℃/W)：
2.2
Pd(W)：
56
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华高宇电子有限公司	CED540N	VB			100	现货库存,有单来谈	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CED540N	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CED540N	VBsemi	23+	TO251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED540N	C	22+	TO-251	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CED540N	C	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CED540N	CET	10+	TO-251	3830	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	CED540N	CET/華瑞	22+	TO-251	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CED540N	C	22+	TO-251	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CED540N	CET/華瑞	24+	TO-251	60000		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CED55A3	SR	23+	TO-251	6000	原装正品,假一罚十	询价

更多CED540N供应商更新时间2025-7-29 14:11:00

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