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CED4060AL	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=95mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED4060AL	文件：471.04 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=75mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=90mW@VGS=5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED4060AL_09	文件：403.11 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP4060A	文件：507.03 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP4060A	文件：624.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,17A,RDS(ON)=85mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP4060AL	文件：508.15 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP4060AL	文件：631.1 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,17A,RDS(ON)=75mW@VGS=10V. RDS(ON)=90mW@VGS=5.0V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP4060AR	文件：524.79 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •60V,15A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. •SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability. •TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP4060L	文件：505.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=5.0V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU4060A	文件：121.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,15A,RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CED4060AL
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CED4060AL供应商更新时间2025-6-2 16:30:00

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