CED01N65数据表ic资料贸易商华瑞CET-114ic电子网

首页 >CED>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
CED01N6	文件：85.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED01N6A	文件：412.24 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V,1.1A,RDS(ON)=12W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED01N6G	文件：414.42 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■600V,1A,RDS(ON)=9.3Ω@VGS=10V. ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED01N7	文件：420.77 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■700V,0.8A,RDS(ON)=18Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED01N7	文件：643.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V,0.8A,RDS(ON)=18W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED02N6	文件：44.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●600V,1.9A,RDS(ON)=5Ω@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED02N65A	文件：646.5 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V,1.2A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
CED
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	CED01N65	CET/華瑞	24+	TO-251	17250	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	CED01N65	CET	07+PBF	TO-251	17250	现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CED01N65	CET/華瑞	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED01N65	CET/華瑞	2022+	TO-251	1100	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CED01N65	C	23+	IPAK	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CED01N65	CET/華瑞	07+	TO-251	10000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市振宏微科技有限公司	CED01N65	CET	23+	TO-251	28000	原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	CED01N65	CET	23+	TO-251	12800	公司只有原装欢迎来电咨询。	询价
深圳市华来深电子有限公司	CED01N65	CET	23+	TO-251	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CED01N65	CET/華瑞	24+	NA/	17250	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多CED供应商更新时间2025-7-26 16:36:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号