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CED01N6G	文件：414.42 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 600V, 1A, RDS(ON) = 9.3Ω @VGS = 10V. ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：414.42 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CED01N6G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEF01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：85.87 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEF01N6G	文件：374.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：374.19 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEI01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：85.87 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

更多CED01N6G供应商更新时间2026-4-17 15:36:00