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CED01N6G	文件：414.42 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■600V,1A,RDS(ON)=9.3Ω@VGS=10V. ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
BES01N6	文件：106.42 Kbytes Page：2 Pages	InductiveSensors BES517-398-NO-C-05 Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA cULus WEEE BasicstandardIEC60947-5-2	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司	Balluff
CEB01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB01N6G	文件：374.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N6	文件：85.28 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED01N6A	文件：412.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,1.1A,RDS(ON)=12W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEF01N6G	文件：374.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEI01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEK01N6G	文件：613.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,1A,RDS(ON)=9.3W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N6G	文件：404.1 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■600V,1A,RDS(ON)=9.3Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP01N6	文件：85.87 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP01N6G	文件：374.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N6	文件：85.28 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU01N6A	文件：412.24 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,1.1A,RDS(ON)=12W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU01N6G	文件：414.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■600V,1A,RDS(ON)=9.3Ω@VGS=10V. ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CED01N6G
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CED01N6G	SR	23+	IPAK	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	CED01N6G		23+	N/A	64610	正品授权货源可靠	询价
深圳市新力诚科技有限公司	CED01N6G	CET	2020+	TO-251	50930	公司代理品牌,原装现货超低价清仓!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	CED01N6G	C	23+	IPAK	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED01N6G	CET/華瑞	2022+	TO-251	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CED01N6G	C	23+	IPAK	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市维尔达电子有限公司	CED01N6G	st	2023+	TO-251	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CED01N6G	CET/華瑞	2022+	TO-251	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市惊羽科技有限公司	CED01N6G	CET	24+25+/26+27+	TO-251-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市九方航科技有限公司	CED01N6G	VBSEMI	19+	IPAK	29600	绝对原装现货,价格优势!	询价

更多CED01N6G供应商更新时间2024-5-1 15:36:00

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