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2N5551G	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551HR	文件：286.63 Kbytes Page：10 Pages	Hi-RelNPNbipolartransistor160V-0.5A Description The2N5551HRisasiliconplanarNPNtransistorspecificallydesignedandhousedinhermeticpackagesforaerospaceandHi-Relapplications.ItisavailableintheJANqualificationsystem(MIL-PRF19500compliance)andintheESCCqualificationsystem(ESCC5000compliance).Incaseo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
2N5551K	文件：543.85 Kbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2N5551K	文件：1.69155 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5551K-TA	文件：1.69155 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5551N	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •Complementarypairwith2N5401N	AUK AUK	AUK
2N5551RLRA	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRAG	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRM	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRP	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551RLRPG	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5551S	文件：39.29 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551S	文件：150.05 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V •LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.)VCB=120V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.)IC=50mA,IB=5mA •LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551S	文件：1.21154 Mbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors FEATURE •Pb-Freepackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N5551SC	文件：346.72 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=180V,VCEO=160V •LowLeakageCurrent. :ICBO=50nA(Max.)VCB=120V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=0.2V(Max.)IC=50mA,IB=5mA	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5551SQ	文件：408.6 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
2N5551TA	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551-TA	文件：1.44581 Mbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeSwitchingApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5551TF	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5551TF	文件：216.64 Kbytes Page：9 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
2N5551TFR
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2N5551TFR	onsemi(安森美)	23+	TO-92-3	2317	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2N5551TFR	onsemi	24+	TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多2N5551TFR供应商更新时间2024-5-17 16:58:00

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