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2N5878价格:¥20.9563品牌:Central Semiconductor Co
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2N5878PBFREE中文资料Alldatasheet PDF
更多2N5878功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GP Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
2N5878
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 描述:
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
10A
- 最大工作频率:
>4MHZ
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
BD249B,BD313,BD545B,BDW21B,2N3714,2N5882,2N6472,3DA74B,
- 最大耗散功率:
150W
- 放大倍数:
- 图片代号:
E-44
- vtest:
80
- htest:
4000100
- atest:
10
- wtest:
150



















