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2N5551RLRM	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors 文件：71.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551RLRM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551RLRMG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.6A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551RLRP	文件：71.63 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors 文件：71.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551RLRPG	文件：88.88 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：88.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5551S	文件：150.05 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=180V, VCEO=160V • Low Leakage Current. : ICBO=50nA(Max.) VCB=120V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.2V(Max.) IC=50mA, IB=5mA • Low Noise : NF=8dB (Max.) 文件：150.05 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

产品属性

产品编号：
2N5551RLRM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92

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更多2N5551RLRM供应商更新时间2026-2-2 9:38:00

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