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2N5615	文件：132.18 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：132.18 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5615	文件：81.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 30-90@lc= -2.5A • Wide Area of Safe Operation • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(Sus)= -SOV(Min) • Complement to Type 2N5616 APPLICATIONS • Designed for use in high frequency power amplifiers, audio power amplifier and drivers. 文件：81.83 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5615	文件：111.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Excellent safe operating area • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general-purpose amplifier ; and switching applications 文件：111.36 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5615	文件：112.94 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：112.94 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5615	文件：14.38 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 文件：14.38 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5615	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
2N5615
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA， 2.5mA
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2N5615	MOT	24+	TO-3	10000		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2N5615	Microchip Technology	25+	TO-204AA TO-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多2N5615供应商更新时间2025-12-12 16:30:00

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