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2N5676

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-66 package • High transition frequency APPLICATIONS • For use as high-frequency drivers in audio amplifiers

文件:136.23 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2N5676

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min.) • Continuous Collector Current-IC= -2A • High Current Gain-Bandwidth Product APPLICATIONS • Designed for use in high frequency power amplifiers, audio power amplifier and drivers.

文件:128.77 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5676

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-66 package • High transition frequency APPLICATIONS • For use as high-frequency drivers in audio amplifiers

文件:111.4 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N5676

Silicon PNP Power Transistors

文件:112.98 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N5676

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

文件:14.35 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N5676

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N5676

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    125V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    >50MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDX16,2N5344,2N6211,2SA1078,2SA1079,2SA1133,2SB719,2SB720,3CA5E,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    125

  • htest:

    50000100

  • atest:

    2

  • wtest:

    1

产品属性

  • 产品编号:

    2N5676

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N5676供应商 更新时间2026-1-19 16:30:00