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2N5741	文件：130.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：130.65 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5741	文件：110.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector-emitter saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：110.29 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5741	文件：130.449 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max.)@ IC= -10A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 文件：130.449 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5741	文件：111.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • Low collector saturation voltage • Fast switching speed APPLICATIONS • For general–purpose switching and power amplifier applications. 文件：111.77 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5741	文件：113.35 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：113.35 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5741	文件：11.3 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N5741	文件：110.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：110.29 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5741	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
2N5741	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip
2N5741_15	文件：110.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：110.29 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2N5741
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD250A,BD367,BD746A,BDX18,2N5883,2N5884,2N6246,3CK010C,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
60
htest：
10000100
atest：
20
wtest：
65

产品属性

产品编号：
2N5741
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1mA， 10mA
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AD（TO-3）
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N5741供应商更新时间2025-12-24 10:50:00

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